Удаление фоторезистивных масок с применением быстрой термической обработ

Проведен анализ основных методов удаления фоторезистов, используемых в микроэлектронике. Исследована возможность применения для этих целей быстрой термической обработки и представлены результаты анализа поверхности кремния и алюминия после снятия фоторезиста. Все результаты рассмотрены в сопоставлении с традиционными методами удаления фоторезистов, применяемыми в технологии создания сверхбольших интегральных схем.
Автор:  Пилипенко В. А., Пономарь В. Н., Горушко В. А.
Стр:  107-109