ТОМ 50, №5
Численный анализ явлений переноса в полупроводниковых приборах и структурах. 3. Моделирование МДП-структур
Автор: Абрамов И. И., Харитонов В. В.
Стр: 845
			
Абрамов И. И., Харитонов В. В. . 
Численный анализ явлений переноса в полупроводниковых приборах  и структурах. 3. Моделирование МДП-структур // Инженерно-физический журнал. 
. ТОМ 50, №5. С. 845. 
		Возврат к списку
 																												
